ハードウェア
平成23年度 秋期 基本情報技術者試験 午前 問25
フラッシュメモリに関する記述として，適切なものはどれか。
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出典：平成23年度 秋期 基本情報技術者試験 午前 問25（問題文は IPA の公開問題。解説は当サイト作成）
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正解：エ
覚える知識
フラッシュメモリの特性(ブロック消去等)
フラッシュメモリは電気的にブロック単位で消去・書換えできる不揮発性メモリである。
この問題で必要なこと
フラッシュメモリは不揮発性で、ブロック単位で電気的に消去できる。
ひっかけ
キャッシュ用SRAM、紫外線消去のEPROM、リフレッシュが要るDRAMの特徴との混同を誘う。
この知識の出題：本試験系 6 回・免除試験 14 回（公開問題での観測値）