ハードウェア
平成26年度 春期 基本情報技術者試験 午前 問21
フラッシュメモリに関する記述として，適切なものはどれか。
答えを選ぶ
出典：平成26年度 春期 基本情報技術者試験 午前 問21（問題文は IPA の公開問題。解説は当サイト作成）
答えと解説を見る
正解：エ
覚える知識
フラッシュメモリの特性(ブロック消去等)
フラッシュメモリは、電気的にブロック単位で一括消去・書換えできる不揮発性メモリである。
この問題で必要なこと
フラッシュメモリは、ブロック単位で電気的に内容を消去できる不揮発性メモリである。
ひっかけ
紫外線消去はEPROM、周期的再書込みはDRAM、キャッシュ用の高速書換えはSRAMの特徴。
この知識の出題：本試験系 6 回・免除試験 14 回（公開問題での観測値）