ハードウェア
基本情報技術者試験 科目A免除 修了試験 20150726 実施分 問21
フラッシュメモリに関する記述として，適切なものはどれか。
- ア 高速に書換えができ，CPU のキャッシュメモリなどに用いられる。
- イ 紫外線で全内容の消去ができる。
- ウ 周期的にデータの再書込みが必要である。
- エ ブロック単位で電気的に内容の消去ができる。
出典：基本情報技術者試験 科目A免除 修了試験 20150726 実施分 問21
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正解：エ
覚える知識
フラッシュメモリの特性(ブロック消去等)
フラッシュメモリは、ブロック単位で電気的に消去・書換え可能な不揮発性メモリである。
この問題で必要なこと
フラッシュメモリは電気的にブロック単位で消去・書換えができる不揮発性メモリ。
ひっかけ
キャッシュ用の高速SRAM、紫外線消去のEPROM、再書込みが必要なDRAMと混同させる。
この知識の出題：本試験系 6 回・免除試験 14 回（公開問題での観測値）