ハードウェア
平成30年度 春期 基本情報技術者試験 午前 問22
フラッシュメモリに関する記述として，適切なものはどれか。
答えを選ぶ
出典：平成30年度 春期 基本情報技術者試験 午前 問22（問題文は IPA の公開問題。解説は当サイト作成）
解説に誤りを見つけたら、解説の誤りを報告してください。
答えと解説を見る
正解：エ
覚える知識
フラッシュメモリの特性(ブロック消去等)
フラッシュメモリは電気的にブロック単位で消去・書込みが可能な不揮発性メモリである。
この問題で必要なこと
フラッシュメモリは不揮発性で、ブロック単位に電気的にデータを消去できる。
ひっかけ
キャッシュ用のSRAM、紫外線消去のEPROM、リフレッシュが必要なDRAMとの混同。
この知識の出題：本試験系 6 回・免除試験 14 回（公開問題での観測値）。頻出知識ランキング50位（全1,254件中）。